根据官网APP的交付紧随消息，SK海力士近日宣布已向全球主要客户交付其最新高带宽内存(HBM)芯片——12层HBM4E样品。战全
韩国的面开SK海力士与三星电子同为全球领先的内存芯片制造商，SK海力士是力士英伟达 HBM 芯片的主要供应商，而三星与美国美光科技则在该领域与其竞争。星步HBM芯片广泛应用于英伟达等公司的伐交付层AI处理器中。
SK海力士表示：“凭借在HBM领域的样品先进研发与生产技术，我们能够及时交付12层堆叠的交付紧随HBM4E样品。”公司还强调：“我们将与合作伙伴紧密协作，战全确保量产的面开顺利进行。”
根据公司介绍，力士12层HBM4E在性能和功耗效率方面均有显著提升。星步此产品的伐交付层单引脚最大数据处理速度可达16 Gbps，功耗效率较前代产品提高超过20%。样品这些改进显著增强了AI训练和推理的交付紧随数据处理能力。
SK海力士补充说，与前代HBM相比，其耐热性能也增强17%，使内存芯片在高性能计算环境中更加稳定。
HBM4E样品交付战正式拉开帷幕
HBM4E是第七代HBM，预计将被应用于英伟达下一代AI加速器“Rubin Ultra”，该项目计划于明年上市。6月2日，英伟达首席执行官黄仁勋在台湾国际电脑展上对SK海力士的HBM4E晶圆留言：“请多生产一些。”
SK海力士将在HBM4E核心芯片上使用1c纳米工艺，基础裸片将由台积电采用3纳米工艺生产。SK集团董事长崔泰元在展会上表示：“只要客户需要，我们随时准备。”他还提到：“目前，我们仅有一家HBM4E客户。”
在HBM市场，样品交付的时机极为关键。下一代HBM是根据客户需求定制，快速的样品交付使客户能够更快验证性能并进行优化，从而在最终量产竞争中占据主动。
5月29日，三星电子宣布已开始向全球主要客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。完成初步样品交付后，三星计划根据客户的需求安排开展HBM4E的批量生产。
业内人士表示：“对于HBM，性能固然重要，但供应时机及客户的认证进度同样至关重要。”他补充说：“今年下半年，三星与SK海力士之间的竞争将进一步加剧。”
此外，美光的HBM4产能正在稳步提升，计划于2027年实现HBM4E的量产，消息称其将采用10纳米第六代1γ工艺，这是美光首次将EUV光刻设备应用于量产中，基础裸片将由台积电生产。
TrendForce此前提到，这三大供应商正逐渐将焦点从良率竞争转向定价权和新一代规格的主导。尽管传统DRAM的利润率短期内超越HBM，供货商仍保持均衡的产品组合，并看好HBM长期合约价格的上涨。与此相对，目前除HBM外的各种DDR及消费级存储经历多次涨价后，价格已处于相对高位，而HBM的涨价潜力尚未得到充分释放。